http://es.scribd.com/doc/69673421/Mantenimientokarolaynaranjo

http://es.scribd.com/doc/69537144/Mantenimiento-Mayerly-Quintero-10-b

http://es.scribd.com/doc/68529131/Distribucion-de-Linux-Mayerly-Quintero-Karolay-Naranjo-10-b

http://es.scribd.com/doc/65655898/Taller-S-O-Mayerly-Quintero-Karolay-Naranjo

http://es.scribd.com/doc/65143230/Sistemas-OperativosMayrly-Quintero-Y-Karolay-Naranjo

DISCO DURO

DISCO DURO

• El Disco Duro es un dispositivo magnético que almacena todos los programas y datos de la computadora.
•          Su capacidad de almacenamiento se mide en gigabytes (GB) y es mayor que la de un disquete (disco flexible).
•   Suelen estar integrados en la placa base donde se pueden conectar más de uno, aunque también hay discos duros externos que se conectan al PC mediante un conector USB.

Hay varios conceptos para referirse a zonas del disco:

§  Plato: cada uno de los discos que hay dentro del disco duro.
§  Cara: cada uno de los dos lados de un plato.
§  Cabeza: número de cabezales.

§  Pistas: una circunferencia dentro de una cara; la pista 0 está en el borde exterior.

§  Cilindro: conjunto de varias pistas; son todas las circunferencias que están alineadas verticalmente (una de cada cara).

§  Sector: cada una de las divisiones de una pista. El tamaño del sector no es fijo, siendo el estándar actual 512 bytes, aunque próximamente serán 4 KiB

IDE Y SCSI

§  IDE: Integrated Device Electronics ("Dispositivo electrónico integrado") o ATA (Advanced Technology Attachment), controla los dispositivos de almacenamiento masivo de datos, como los discos duros y ATAPI (Advanced Technology Attachment Packet Interface) Hasta aproximadamente el 2004, el estándar principal por su versatilidad y asequibilidad. Son planos, anchos y alargados.

§  SCSI: Son interfaces preparadas para discos duros de gran capacidad de almacenamiento y velocidad de rotación. Se presentan bajo tres especificaciones: SCSI Estándar (Standard SCSI), SCSI Rápido (Fast SCSI) y SCSI Ancho-Rápido (Fast-Wide SCSI). Su tiempo medio de acceso puede llegar a 7 milisegundos y su velocidad de transmisión secuencial de información puede alcanzar teóricamente los 5 Mbps en los discos SCSI Estándares, los 10 Mbps en los discos SCSI Rápidos y los 20 Mbps en los discos SCSI Anchos-Rápidos (SCSI-2). Un controlador SCSI puede manejar hasta 7 discos duros SCSI (o 7 periféricos SCSI) con conexión tipo margarita (daisy-chain). A diferencia de los discos IDE, pueden trabajar asincrónicamente con relación al microprocesador, lo que posibilita una mayor velocidad de transferencia.

MEMORIA ROM

MEMORIA ROM:

La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de sólo lectura, es la memoria que se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos. La mayoría de los ordenadores tienen una cantidad pequeña de memoria ROM (algunos miles de bytes).

• EPROM

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

PROM

Es el acrónimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o anti fusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

Pequeñas PROM han venido utilizándose como generadores de funciones, normalmente en conjunción con un multiplexor. A veces se preferían a las ROM porque son bipolares, habitualmente Schottky, consiguiendo mayores velocidades.

DIFERENCIA ENTRE SETUP, CMOS Y SETUP

BIOS:
Es un sistema básico de entrada/salida Basic Input-Output System (BIOS) un código de interfaz que localiza y carga el sistema operativo en la RAM; es un software muy básico instalado en la placa base que permite que ésta cumpla su cometido.

CMOS:
(del inglés Complementary Metal Oxide Semiconductor, "Metal Óxido Semiconductor Complementario") es una tecnología utilizada para crear circuitos integrados.
Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen desventajas:
Son sensibles a las cargas estáticas.

Setup:
Significa "Instalación".
Aparece cuando deseas modificar la BIOS.
Un programa Setup es un programa para instalar otro programa.

MEMORIAS SINCRONICAS

MEMORIAS SINCRONAS: sincrónicos se refiere a si los módulos SRAM han sincronizado sus comunicaciones para que coincida con el procesador (síncrono = "estamos en sintonía con el procesador".

• SDR SDRAM: 
  Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador.

 Las SDRAM son amplia mente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDRAM y las posteriores DDR (o DDR1), DDR2 y DDR3. Actualmente se está diseñando la DDR4 y se prevé que estará disponible en 2012.

SDR SDRAM

• PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y computadores más modernos; teóricamente se trata de unas especificaciones mínimas que se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen.

• PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx. De 133 MHz. 

• PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx. De 100 MHz

DDR SDRAM

PC1600 O DDR200:

Velocidad del reloj: 100 MHz

Tiempo entre señales: 10 ns

Datos transferidos por segundo: 200 millones

Nombre del módulo: PC1600

Máxima capacidad de transferencia: 1600 MB/s

PC 2100 ó DDR266

Velocidad del reloj: 100 MHz

Tiempo entre señales: 7,5 ns

Datos transferidos por segundo: 266 millones

Nombre del módulo: PC2100

Máxima capacidad de transferencia: 2133 MB/s

PC 2700 ó DDR333

Velocidad del reloj: 166 MHz

Tiempo entre señales: 6 ns

Datos transferidos por segundo: 333 millones

Nombre del módulo: PC2700

Máxima capacidad de transferencia: 2667 MB/s

PC3200

Funciona a 2.5V, trabaja a 400MHz, es decir, 200MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GB/s (de ahí el nombre PC3200). 

PC-4200

Trabaja a 533Mhz, es decir, 266 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,2 GB/s (de ahí el nombre PC4200). 

PC-5300

Trabaja a 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria 

y ofrece tasas de transferencia de hasta 5,3 GB/s (de ahí el nombre PC5300). 

PC-6400

Trabaja a 800Mhz, es decir, 

400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GB/s (de ahí el nombre PC6400). 

DDR3

proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el más moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta madre. 

También se les denomina DIMM tipo DDR3, 

debido a que cuentan con conectores físicamente

 independientes por ambas caras como

 el primer estándar DIMM.

• RDRAM:

La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura está basada en los requerimientos eléctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz.

• XDR DRAM

o tipo de datos extremos de memoria dinamica de acceso aleatorio es un alto rendimiento de RAM interfaz y sucesor del rambus rdram se basa en, en competencia con el rival sdram, ddr2 y gddr4 tecnología. XDR fue diseñado para ser eficaz en, gran ancho de banda de los consumidores en sistemas pequeños, rendimiento de memoria aplicaciones de alta y de gama alta GPU.

• DRDRAM

Direct Rambus DRAM: una memoria RAM de la arquitectura totalmente nueva, con control del bus (el Rambus Channel Master) y una nueva vía (el Canal de Rambus) entre los dispositivos de memoria (el Canal de Rambus esclavos)

• SRAM

Static Random Access Memory – Memoria estática de acceso aleatorio Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM. Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos.

• ESDRAM

Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s.

MEMORIAS ASINCRONICAS

1.DRAM:

La memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es la que montan las placas base como memoria principal del sistema, donde se almacenan las aplicaciones en ejecución y los datos que es están gestionando en cada momento. Se refresca cientos de veces por segundo y cuanta mayor cantidad pongamos a disposición del PC mejores resultados obtendremos.

2. FPM-RAM

Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era  leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo página, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fue añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds  e incluso más.

3.EDO-RAM

Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.

EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección  para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa la0s operaciones

4. BEDO-RAM:

Burst Extended Data Ouput Memory Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a undato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.