http://es.scribd.com/doc/69673421/Mantenimientokarolaynaranjo

http://es.scribd.com/doc/69537144/Mantenimiento-Mayerly-Quintero-10-b

http://es.scribd.com/doc/68529131/Distribucion-de-Linux-Mayerly-Quintero-Karolay-Naranjo-10-b

http://es.scribd.com/doc/65655898/Taller-S-O-Mayerly-Quintero-Karolay-Naranjo

http://es.scribd.com/doc/65143230/Sistemas-OperativosMayrly-Quintero-Y-Karolay-Naranjo

DISCO DURO

DISCO DURO

• El Disco Duro es un dispositivo magnético que almacena todos los programas y datos de la computadora.
•          Su capacidad de almacenamiento se mide en gigabytes (GB) y es mayor que la de un disquete (disco flexible).
•   Suelen estar integrados en la placa base donde se pueden conectar más de uno, aunque también hay discos duros externos que se conectan al PC mediante un conector USB.

Hay varios conceptos para referirse a zonas del disco:

§  Plato: cada uno de los discos que hay dentro del disco duro.
§  Cara: cada uno de los dos lados de un plato.
§  Cabeza: número de cabezales.

§  Pistas: una circunferencia dentro de una cara; la pista 0 está en el borde exterior.

§  Cilindro: conjunto de varias pistas; son todas las circunferencias que están alineadas verticalmente (una de cada cara).

§  Sector: cada una de las divisiones de una pista. El tamaño del sector no es fijo, siendo el estándar actual 512 bytes, aunque próximamente serán 4 KiB

IDE Y SCSI

§  IDE: Integrated Device Electronics ("Dispositivo electrónico integrado") o ATA (Advanced Technology Attachment), controla los dispositivos de almacenamiento masivo de datos, como los discos duros y ATAPI (Advanced Technology Attachment Packet Interface) Hasta aproximadamente el 2004, el estándar principal por su versatilidad y asequibilidad. Son planos, anchos y alargados.

§  SCSI: Son interfaces preparadas para discos duros de gran capacidad de almacenamiento y velocidad de rotación. Se presentan bajo tres especificaciones: SCSI Estándar (Standard SCSI), SCSI Rápido (Fast SCSI) y SCSI Ancho-Rápido (Fast-Wide SCSI). Su tiempo medio de acceso puede llegar a 7 milisegundos y su velocidad de transmisión secuencial de información puede alcanzar teóricamente los 5 Mbps en los discos SCSI Estándares, los 10 Mbps en los discos SCSI Rápidos y los 20 Mbps en los discos SCSI Anchos-Rápidos (SCSI-2). Un controlador SCSI puede manejar hasta 7 discos duros SCSI (o 7 periféricos SCSI) con conexión tipo margarita (daisy-chain). A diferencia de los discos IDE, pueden trabajar asincrónicamente con relación al microprocesador, lo que posibilita una mayor velocidad de transferencia.

MEMORIA ROM

MEMORIA ROM:

La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de sólo lectura, es la memoria que se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos. La mayoría de los ordenadores tienen una cantidad pequeña de memoria ROM (algunos miles de bytes).

• EPROM

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

PROM

Es el acrónimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o anti fusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.

Pequeñas PROM han venido utilizándose como generadores de funciones, normalmente en conjunción con un multiplexor. A veces se preferían a las ROM porque son bipolares, habitualmente Schottky, consiguiendo mayores velocidades.

DIFERENCIA ENTRE SETUP, CMOS Y SETUP

BIOS:
Es un sistema básico de entrada/salida Basic Input-Output System (BIOS) un código de interfaz que localiza y carga el sistema operativo en la RAM; es un software muy básico instalado en la placa base que permite que ésta cumpla su cometido.

CMOS:
(del inglés Complementary Metal Oxide Semiconductor, "Metal Óxido Semiconductor Complementario") es una tecnología utilizada para crear circuitos integrados.
Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo de transistor. Tienen desventajas:
Son sensibles a las cargas estáticas.

Setup:
Significa "Instalación".
Aparece cuando deseas modificar la BIOS.
Un programa Setup es un programa para instalar otro programa.

MEMORIAS SINCRONICAS

MEMORIAS SINCRONAS: sincrónicos se refiere a si los módulos SRAM han sincronizado sus comunicaciones para que coincida con el procesador (síncrono = "estamos en sintonía con el procesador".

• SDR SDRAM: 
  Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador.

 Las SDRAM son amplia mente utilizadas en los ordenadores, desde la original SDRAM y las posteriores DDR (o DDR1), DDR2 y DDR3. Actualmente se está diseñando la DDR4 y se prevé que estará disponible en 2012.

SDR SDRAM

• PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y computadores más modernos; teóricamente se trata de unas especificaciones mínimas que se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen.

• PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx. De 133 MHz. 

• PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx. De 100 MHz

DDR SDRAM

PC1600 O DDR200:

Velocidad del reloj: 100 MHz

Tiempo entre señales: 10 ns

Datos transferidos por segundo: 200 millones

Nombre del módulo: PC1600

Máxima capacidad de transferencia: 1600 MB/s

PC 2100 ó DDR266

Velocidad del reloj: 100 MHz

Tiempo entre señales: 7,5 ns

Datos transferidos por segundo: 266 millones

Nombre del módulo: PC2100

Máxima capacidad de transferencia: 2133 MB/s

PC 2700 ó DDR333

Velocidad del reloj: 166 MHz

Tiempo entre señales: 6 ns

Datos transferidos por segundo: 333 millones

Nombre del módulo: PC2700

Máxima capacidad de transferencia: 2667 MB/s

PC3200

Funciona a 2.5V, trabaja a 400MHz, es decir, 200MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GB/s (de ahí el nombre PC3200). 

PC-4200

Trabaja a 533Mhz, es decir, 266 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,2 GB/s (de ahí el nombre PC4200). 

PC-5300

Trabaja a 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria 

y ofrece tasas de transferencia de hasta 5,3 GB/s (de ahí el nombre PC5300). 

PC-6400

Trabaja a 800Mhz, es decir, 

400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GB/s (de ahí el nombre PC6400). 

DDR3

proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el más moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta madre. 

También se les denomina DIMM tipo DDR3, 

debido a que cuentan con conectores físicamente

 independientes por ambas caras como

 el primer estándar DIMM.

• RDRAM:

La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura está basada en los requerimientos eléctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz.

• XDR DRAM

o tipo de datos extremos de memoria dinamica de acceso aleatorio es un alto rendimiento de RAM interfaz y sucesor del rambus rdram se basa en, en competencia con el rival sdram, ddr2 y gddr4 tecnología. XDR fue diseñado para ser eficaz en, gran ancho de banda de los consumidores en sistemas pequeños, rendimiento de memoria aplicaciones de alta y de gama alta GPU.

• DRDRAM

Direct Rambus DRAM: una memoria RAM de la arquitectura totalmente nueva, con control del bus (el Rambus Channel Master) y una nueva vía (el Canal de Rambus) entre los dispositivos de memoria (el Canal de Rambus esclavos)

• SRAM

Static Random Access Memory – Memoria estática de acceso aleatorio Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM. Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos.

• ESDRAM

Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s.

MEMORIAS ASINCRONICAS

1.DRAM:

La memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es la que montan las placas base como memoria principal del sistema, donde se almacenan las aplicaciones en ejecución y los datos que es están gestionando en cada momento. Se refresca cientos de veces por segundo y cuanta mayor cantidad pongamos a disposición del PC mejores resultados obtendremos.

2. FPM-RAM

Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era  leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo página, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado también es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fue añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds  e incluso más.

3.EDO-RAM

Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.

EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección  para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa la0s operaciones

4. BEDO-RAM:

Burst Extended Data Ouput Memory Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a undato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. 

MEMORIA RAM

MEMORIA RAM:

La memoria principal o RAM (Random Acces Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.

Se le llama RAM porque es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente 

Físicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre.

TIEMPO DE REFRESCO:

La velocidad de los procesadores o los buses de datos puede verse reflejada en su frecuencia de funcionamiento. Las memorias expresan su velocidad en nanosegundos, magnitud que representa la billonésima parte de un segundo.
Para apreciar la instantaneidad de un ns puede tomarse, como referencia, la velocidad de la luz en el vacío, 300.000 kilómetros por segundo aproximadamente. En un nanosegundo un rayo de luz sólo recorre 29,98 cm. Para comparar la velocidad de la memoria (tiempo que emplea cada ciclo), con la frecuencia de reloj (número de ciclos que pueden ejecutarse por segundo), debe hacerse un pequeño cálculo consistente en dividir 1 segundo por la frecuencia. Cuando se aumenta la frecuencia del reloj disminuye el tiempo invertido por ciclo. La frecuencia del microprocesador no determina la velocidad que ha de soportar la memoria

TIEMPO DE ACCESO

Tiempo de acceso es el retardo temporal o latencia entre una petición a un sistema electrónico y la finalización de la misma o la devolución de los datos solicitados

·                     En un sistema de telecomunicaciones, el tiempo de acceso es el tiempo transcurrido entre el inicio de un intento de acceso y el acceso bien finalizado. Los valores de tiempo de acceso sólo miden los intentos de acceso que terminan con un acceso bien realizado.

·                     En un ordenador, es el intervalo de tiempo entre el instante en el cual una unidad de control de instruccion  inicia una solicitud de datos o una solicitud para almacenardatos, y el instante en el cual los datos son obtenidos o se inicia el almacenamiento.

BUFER DE DATOS

Un buffer (o búfer) en informatica es un espacio de memoria, en el que se almacenan datos para evitar que el programa o recurso que los requiere, ya sea hardware o software, se quede en algún momento sin datos.
Algunos ejemplos de aplicaciones de buffers son:

·                     El buffer deteclado es una memoria intermedia en la que se van almacenando los caracteres que un usuario teclea, los cuales son tratados por el computador a penas se libere un recurso.

PARIDAD

la paridad; se trata de una técnica empleada también en las comunicaciones serie y que persigue garantizar la integridad de los datos. Consiste en añadir a la memoria un bit adicional (el bit de paridad) por cada x número de bits de datos. Así es posible comprobar si hay algún error en la información; ¿y cómo diferenciar las memorias con paridad de las que no la implementan? Basta con contar el número de chips que el módulo SIMM posee; si es un número impar (3 ó 9), se trata de un módulo con paridad. Si el número es par (2 u 8) el SIMM no la incluye. Este asunto es importante, puesto que a la BIOS del PC hay que indicarle a través del Setup, si debe efectuar comprobación de paridad o no, siendo ésta una posible fuente de problemas en caso de mala configuración. Normalmente, los SIMM dotados de paridad suelen ser más caros que los que no la llevan, aunque es importante comentar que las placas para Pentium no incorporan esta técnica, de ahí que toda la memoria que puede verse en estos ordenadores carezca de chip de paridad. 

PORQUE LA MEMORIA RAM ES VOLATIL Y ALEATORIA?

Originalmente también se les solía denominar memorias aleatorias (de ahí RAM o Random Access Memory, memorias de acceso aleatorio). Aunque este nombre no le es el más apropiado ya que hoy en día todas las memorias en PC, sean volátiles o no como por ejemplo los discos duros, disquetes y demás dispositivos de almacenamiento disponen de un sistema de acceso al dato aleatorio, ya que en caso de disponer de un sistema de acceso secuencial éste tardaría mucho en cargar datos. 

La memoria volátil de una computadora, contrario a memoria no volátil, es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el flujo de corriente eléctrica.

COMO SE ALMACENA LA INFORMACION EN UNA MEMORIA RAM

Los chips de memoria son pequeños rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es muchísimo más rápida, y que se borra al apagar el ordenador, no como éstos.

El interior de cada chip se puede imaginar como una matriz o tabla en la cual cada celda es capaz de almacenar un bit. Por tanto, un bit se puede localizar directamente proporcionando una fila y una columna de la tabla. En realidad, la CPU identifica cada celda mediante un número, denominado dirección de memoria. A partir de una dirección se calcula cuál es la fila y columna correspondiente, con lo que ya se puede acceder a la celda deseada. El acceso se realiza en dos pasos: primero se comunica la fila y después la columna empleando los mismos terminales de conexión. 

Obviamente, esta técnica –denominada multiplexado– permite emplear menos terminales de conexión para acceder a la RAM, lo que optimiza la relación entre el tamaño del chip y la capacidad de almacenamiento.

Realmente, la CPU no suele trabajar con bits independientes, sino más bien con agrupaciones de los mismos, en forma de palabras binarias. Esto hace que la RAM no se presente en un solo chip, sino más bien en agrupaciones de los mismos. Por ejemplo, un grupo de 8 chips, cada uno capaz de almacenas x bits, proporcionará en conjunto x Kb.

La memoria no deja de ser un circuito electrónico real, y por tanto está expuesta a efectos que pueden producir errores en su contenido. En otras palabras, tras escribir una palabra en una posición de memoria es perfectamente posible que algún bit cambie de estado durante el tiempo que permanezca almacenada. Si se accede de nuevo a la memoria para leer dicha palabra se recuperará información errónea y esto puede acarrear todo tipo de consecuencias. Para ello se suelen emplear dos soluciones: la paridad y la técnica ECC (Error Correction Code). El elemento que implementa estos métodos se encuentra en el interior del PC y recibe el nombre de controlador de memoria.

SINCRONAS Y ASINCRONAS

Máquina asíncrona trifásica:

Descripción general:
También son conocidas como máquinas de inducción. Su estator esta formado por un paquete de chapas aisladas montado en una carcasa con una serie de ranuras en su periferia donde se encuentran los hilos conductores que forman el bobinado del estator, formando tres bobinas que se corresponden a cada una de las tres fases. El rotor lo forman un apilamiento de chapas que forman un cilindro junto con el eje del motor, pero según se distribuya el inducido se distinguen dos tipos:

·                     Rotor bobinado: En las ranuras de las chapas del rotor hay unos devanados iguales que los del estator formados por un gran número de espiras; los extremos de las bobinas de este devanado esta conectadas a tres anillos que se conectan al exterior mediante el contacto de tres escobillas

·                     Rotor de jaula de ardilla: En las ranuras del exterior están colocados los conductores que forman una serie de barras formando un cilindro cortocircuitadas en cada extremo con forma de jaula de ardilla

Maquina síncrona:

Las máquinas síncronas están entre los tres tipos más comunes de máquinas eléctricas; las maquinas sincrónicas son máquinas de corriente alterna que se caracterizan por tener una velocidad dependiente directamente de la frecuencia de la red. Pueden ser monofásicas o trifásicas, especialmente en aplicaciones de potencia; se llaman así porque trabajan a velocidad constante y frecuencia constante en condiciones de operación estacionarias. Como la mayoría de las máquinas giratorias, una máquina síncrona es capaz de trabajar como motor o generador e incluso como reactor o como condensador.

MODULOS DE MEMORIA

SIMM: o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple), pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en línea simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintas capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. 

Memoria DIMM

Dimm: o de Dual In-line Memory Module, (módulo de memoria en línea doble). Hace referencia a su sistema de comunicación con la placa base, que se gestiona en grupos de datos de 64 bits, en contraposición con los módulos SIMM (Single In-line Memory Module, módulo de memoria en línea simple), que usan una vía simple y sólo transfieren 32 bits de datos cada vez. Se fabrican con 168 contactos en sus conectores de anclaje con la placa base; también suele ser habitual disponer de cuatro o más conectores, pudiendo utilizarse uno o varios de ellos, mientras que los módulos SIMM deben ir por parejas, además de tener anclajes incompatibles, que son de 30 o 72 contactos. Esto determina que la mayoría de las placas base puedan utilizar módulos de uno u otro tipo, pero no ambos.

RIMM

RIMM: módulo de memoria RDRAM (Rambus Son los módulos de memoria, sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuación del canal; el canal entra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismo tamaño que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD, (Serial Presence Detect). También hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier número de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal. Hay módulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal.